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FDS9945
2个N沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 描述
- 此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9945
- 商品编号
- C94891
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.266克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，这种MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.200 Ω
- 3.5 A、60 V。在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.100 Ω
- 针对与PWM控制器配合使用的开关式DC/DC转换器进行了优化
- 开关速度非常快
- 栅极电荷低。