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FDS89161LZ
2个N沟道 耐压:100V 电流:2.7A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS89161LZ
- 商品编号
- C95003
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 302pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。添加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 2.7 A时，最大rDS(on) = 105 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A时，最大rDS(on) = 160 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
- 典型CDM ESD保护等级 >2 KV
- 100%进行UI L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换