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NTMS7N03R2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS7N03R2G
- 商品编号
- C97779
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 超低 RDS(on),更高效率,延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 微型 SOIC-8 表面贴装封装
- 规定雪崩能量
- 规定高温下的 IDSS
- 这是一款无铅器件
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理
- 电机控制
- 感性负载