温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS7N03R2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS7N03R2G
- 商品编号
- C97779
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻：在VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 550 mΩ（最大值）
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）保护高达2 kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC - Q），具备高可靠性
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能