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FDD8447L-F085
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8447L-F085
- 商品编号
- C99591
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.97nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在将低栅极驱动条件下的导通电阻降至最低。该器件专为使用单节锂电池、三节镉电池或镍氢电池的电池电路应用而设计。它可用作逆变器，或用于手机和寻呼机等紧凑型便携式电子设备中的高效微型分立DC/DC转换。即使在低至2.5伏的栅极驱动电压下，该器件也具有出色的导通电阻。
商品特性
- 25 V，连续电流0.68 A，峰值电流2 A。在栅源电压（VGS）为4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）等于0.45欧姆。在栅源电压（VGS）为2.7 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）等于0.6欧姆。
- 极低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接工作。栅源阈值电压（VGS(th)）小于1 V。
- 具有栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性。人体模型静电放电抗扰度>6kV。
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装。
- 可替代TN0200T和TN0201T。