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NTD20N03L27T4G
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
- 描述
- 该逻辑电平垂直功率 MOSFET 是一个通用型零部件，具有目前低成本功率封装的“最佳设计”。该零部件是应对雪崩能量问题的理想设计。漏源极二极管具有理想的快速软恢复特性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD20N03L27T4G
- 商品编号
- C99685
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@5V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.75W；74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款逻辑电平垂直功率MOSFET是一款通用型器件，以低成本功率封装提供了当今可用的“最佳设计”。雪崩能量特性使该器件成为理想的设计选择。漏源二极管具有理想的快速软恢复特性。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)，单基极，先进技术
- 提供SPICE参数
- 二极管特性适用于桥式电路
- 规定了高温下的IDSS和VDS(on)参数
- 规定了高雪崩能量
- ESD静电防护等级符合JEDAC标准，人体模型（HBM）1级、机器模型（MM）A级、带电器件模型（CDM）0级
- NVD前缀适用于汽车及其他有特殊产地和变更控制要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 电源-感性负载-PWM电机控制-在许多应用中可替代MTD20N03L
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