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NDS351AN
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
- 描述
- N沟道,30V,1.4A,160mΩ@1.4A,10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS351AN
- 商品编号
- C98736
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 145pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门设计，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低压应用，这些应用需要在超小外形尺寸的表面贴装封装中实现快速开关和低线路功耗。
商品特性
- 1.4 A、30 V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 160 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 250 mΩ
- 超低栅极电荷
- 采用专有SuperSOT-3设计的行业标准外形SOT-23表面贴装封装，具备出色的热性能和电气性能
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 笔记本电脑-便携式电话-PCMCIA卡-其他电池供电电路