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NTMD4840NR2G
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。双SOIC-8表面贴装封装节省电路板空间。这是一个无铅器件。应用：磁盘驱动器。DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD4840NR2G
- 商品编号
- C97778
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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