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FDS4559
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
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- 描述
- 此互补 MOSFET 器件是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4559
- 商品编号
- C97044
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.266克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款互补MOSFET器件采用仙童（Fairchild）先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- Q1:N沟道
- 4.5 A、60 V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 55 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 75 mΩ
- Q2:P沟道
- -3.5 A、-60 V,VGS = -10 V时,RDS(on) = 105 mΩ
- VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 135 mΩ
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 电源管理
- 液晶显示器(LCD)背光逆变器