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FDD8451
1个N沟道 耐压:40V 电流:28A 电流:9A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来提高 DC/DC 转换器的总体能效而设计。此器件经过优化，可实现低门极电荷、快速开关和极低 rDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8451
- 商品编号
- C97752
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持低栅极电荷以实现卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- 2A、20V，栅源电压（VGS）为 -4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 70 mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 110 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为7.2 nC）
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本，引脚排列与SOT - 23相同，但功率处理能力提高30%
应用领域
- 便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换