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FDN302P
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 描述
- 此P沟道2.5V特定MOSFET采用安森美先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-12V）的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN302P
- 商品编号
- C96567
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 882pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用安森美（ON）先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -20V,-2.4A。RDS(ON) = 0.055Ω(@VGS = -4.5V)
- RDS(ON) = 0.080Ω @ VGS = -2.5V
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT - 3 在相同封装尺寸下,提供低 RDS(ON),且功率处理能力比 SOT23 高 30%
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护