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FDN302P
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 描述
- 此P沟道2.5V特定MOSFET采用安森美先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-12V）的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN302P
- 商品编号
- C96567
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 882pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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