ULN2003V12DR

7通道中继和电感负载下沉式驱动器

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描述: ULN2003V12 低功耗中继驱动器（5V 到 16V）
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ULN2003V12DR
商品编号: C94916
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.296克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	达林顿晶体管阵列
	通道数	七路
	集射极击穿电压(Vceo)	20V
	集电极电流(Ic)	500mA
	最大输入电压(VI)	5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	集电极漏电流(Icex)	0.5uA

商品概述

ULN2003V12 是一款针对TI生产的广受欢迎的ULN2003系列7通道达灵顿(Darlington)晶体管阵列的低功耗升级产品。ULN2003V12下沉式驱动器特有7个低输出阻抗驱动器，能够大大降低片上功率耗散。当驱动一个典型值为12V中继线圈时，一个ULN2003V12的功率耗散比一个等效的ULN2003A低12倍。ULN2003V12支持 3.3V 至 5V CMOS 逻辑输入接口，从而使得此器件与大范围的微控制器和其它逻辑接口兼容。ULN2003V12特有一个改进的输入接口，可以大大降低取自外部驱动器的输入DC电流。ULN2003V12特有一个输入RC缓冲器，能够极大地改进此器件在嘈杂运行条件下的性能。ULN2003V12通道输入特有一个内部输入下拉电阻器从而可实现三态输入逻辑。ULN2003V12还支持其它逻辑输入电平，例如TTL和1.8V。在共阴极配置中，ULN2003V12的每一个输出都特有一个连接在COM引脚上的内部自振荡二极管。ULN2003V12通过将几条相邻的并联通道相组合来提供不断增加的电流吸收能力的灵活性。在通常情况下，当所有7个通道并联时，ULN2003V12能够支持高达 1.0A 的负载电流。ULN2003V12还可以被用于需要一个下沉式驱动器的多种其它应用。

商品特性

7 通道高电流下沉式驱动器
支持高达 20V 的输出上拉电压
支持宽范围的低电压和高电压中继和电感线圈
0.6V 低输出电压(VOL)（典型值）
在 3.3V 的逻辑输入上，每通道具有100mA（典型值）的电流吸收能力
在 5.0V 的逻辑输入上，每通道具有140mA（典型值）的电流吸收能力
与 3.3V 和 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
内置用于电感反冲保护的内部自振荡二极管
输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
输入RC缓冲器可消除嘈杂环境中寄生运行
低输入和输出泄漏电流
易于使用的并行接口
静电放电(ESD)保护性能超过 JESD 22 规范要求，支持2kV 人体模型(HBM)，500V 充电器件模型(CDM)
提供16引脚SOIC和TSSOP封装

应用领域

电信应用中继和电感负载驱动
消费类应用中继和电感负载驱动
工业应用中继和电感负载驱动
照明灯和 LED 显示
逻辑电平转换器

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	750mV
	输入电流(on)	12uA
	输入电流(off)	250nA
	正向压降(Vf)	1.2V
	反向电流(Ir)	-
	输入电容(Ci)	-
	类型	BJT