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NSVUMC3NT1G
NSVUMC3NT1G
- 描述
- 双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双 PNP 双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。在 UMC2NT1 系列中，两个器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVUMC3NT1G
- 商品编号
- C893991
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 35@5mA,10V |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
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起订量：18000 个3000个/圆盘
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