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NSVUMC3NT1G
NSVUMC3NT1G
- 描述
- 双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双 PNP 双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。在 UMC2NT1 系列中，两个器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVUMC3NT1G
- 商品编号
- C893991
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 35 |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中消除了它们。在UMC2NT1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 353封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想之选。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 提供8 mm、7英寸/ 3000个单位的卷带包装
- 适用于汽车及其他需要特定产地和变更控制要求的应用的NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准