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NVDS015N15MCT4G
1个N沟道 耐压:150V 电流:10.5A 电流:61.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVDS015N15MCT4G
- 商品编号
- C887747
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A；61.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 107.1W；3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 29 A时,最大RDS(on) = 15 m Ω
- 低RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷,以最小化开关损耗
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 48 V隔离总线的初级侧
- 中压(MV)次级应用的同步整流(SR)