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NVMS5P02R2G
耐压:20V 电流:5.4A
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- 描述
- 特性：具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的高密度功率 MOSFET，提供更高的效率。 微型 SOIC-8 表面贴装封装，节省电路板空间。 二极管具有高速软恢复特性。 规定了高温下的漏源截止电流 (IDSS)。 规定了漏源雪崩能量。 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMS5P02R2G
- 商品编号
- C887750
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |