CPH3455-TL-H
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- 描述
- 此功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产，这是专为最大程度减小门极电荷、降低导通电阻而设计的技术。此器件适用于具有低门极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3455-TL-H
- 商品编号
- C890536
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
商品概述
这款功率MOSFET采用安森美半导体（onsemi）的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求低或对导通电阻要求低的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动