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CPH3459-TL-W
200V单N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：导通电阻 RDS(on)1 = 2.8Ω（典型值），4V驱动。 无卤合规。 输入电容 Ciss = 90pF（典型值）。 内置保护二极管
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3459-TL-W
- 商品编号
- C890537
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
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