- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ATP208-TL-H
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻,4.5V驱动
- 符合无卤标准
- 大电流
- 超薄封装
- 内置保护二极管