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BSS138L
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.2A
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- 描述
- BSS138L N 沟道功率 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器、便携式电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138L
- 商品编号
- C890265
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.78Ω@2.75V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度沟槽MOSFET技术制造。该产品在提供坚固、可靠且快速的开关性能的同时，将导通电阻降至最低。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平转换器、高速线路驱动器、电源管理/电源和开关应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 坚固可靠
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
- 极低电容
- 快速开关速度
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 逻辑电平转换器
- 高速线路驱动器
- 电源管理/电源
- 开关应用