温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS138W
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.21A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138W
- 商品编号
- C890266
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V,0.22A | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@25V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些是N沟道增强型场效应晶体管。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。 这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 0.22 A时，RDS(on) = 3.5 Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 0.22 A时，RDS(on) = 6.0 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(On)
- 坚固可靠
- 采用紧凑的行业标准SOT - 323表面贴装封装
- 这些器件无铅且无卤化物
应用领域
- 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用