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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 21.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度的沟槽MOSFET技术制造。该产品在提供坚固、可靠且快速的开关性能的同时，将导通电阻降至最低。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理/电源和开关应用。
商品特性
- 0.17 A,100 V
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) ≤ 6 Ω
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(on) ≤ 10 Ω
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 坚固可靠
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
- 极低电容
- 快速开关速度
- 该器件无铅且无卤素
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 逻辑电平晶体管
- 高速线路驱动器
- 电源管理/电源
- 开关应用