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BSS138-G
耐压:50V 电流:0.22A
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- 描述
- 这些N沟道增强型场效应晶体管采用体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138-G
- 商品编号
- C890264
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最小化导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 0.22 A,50 V
- 在VGS = 10 V时,RDS(on)低至3.5 Ω
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(on)低至6.0 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(on)
- 坚固可靠
- 紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
- 该器件无铅且无卤素
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用