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BSS123W
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度沟槽MOSFET技术制造。该产品在实现极低导通电阻的同时，还具备坚固耐用、性能可靠和开关速度快的特点。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理/电源供应以及开关应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS123W
- 商品编号
- C890263
- 商品封装
- SOT-323-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.74pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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