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BSS123W
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度沟槽MOSFET技术制造。该产品在实现极低导通电阻的同时，还具备坚固耐用、性能可靠和开关速度快的特点。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理/电源供应以及开关应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS123W
- 商品编号
- C890263
- 商品封装
- SOT-323-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度沟槽MOSFET技术制造。该产品在提供坚固、可靠且快速的开关性能的同时，将导通电阻降至最低。该产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理/电源和开关应用。
商品特性
- 在(VGS = 4.5V)时,(RDS(ON) = 10Ω)
- 0.17A,100V,在(VGS = 10V)时,(RDS(ON) = 6Ω)
- 用于低(RDS(ON))的高密度单元设计
- 坚固可靠
- 超小表面贴装封装
- 极低电容
- 快速开关速度
- 无铅/符合RoHS标准
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 逻辑电平晶体管
- 高速线路驱动器
- 电源管理/电源
- 开关应用