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SVD5865NLT4G
N沟道 60V 46A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 通过AEC-Q101认证。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SVD5865NLT4G
- 商品编号
- C889915
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |