温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RFD16N06LESM9A
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 描述
- 这些 N 沟道功率 MOSFET 采用现代工艺生产。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。这些器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及双极晶体管的发射器开关等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，它能在 3V 到 5V 范围内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接在逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA49027。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD16N06LESM9A
- 商品编号
- C887755
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些是采用现代工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3V至5V的栅极偏置下提供全额定电导，从而便于直接通过逻辑电平（5V）集成电路进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 16A,60V
- rDS(ON) = 0.047 Ω
- 温度补偿PSPICE®模型
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-双极晶体管发射极开关