BSS123-G
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS123-G
- 商品编号
- C890261
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 0.17 A,100 V
- 当VGS = 10 V时,RDS(导通) = 6 Ω
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(导通) = 10 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(导通)
- 坚固可靠
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
- 该器件无铅且无卤素
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 其他开关应用