- 引脚图
- 焊盘图
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SVD14N03RT4G
SVD14N03RT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SVD14N03RT4G
- 商品编号
- C889912
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 28V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 平面HD3e工艺,实现快速开关性能
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低输入电容Ciss,以最小化驱动损耗
- 低栅极电荷
- 针对高效DC-DC转换器中的高端开关要求进行优化
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的NVD和SVD前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
- SVD5865NLT4G
- SVD5867NLT4G
- SZ1SMB5913BT3G
- SZ1SMB5914BT3G
- SZ1SMB5915BT3G
- SZ1SMB5920BT3G
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- SZ1SMB5926BT3G
- SZ1SMB5927BT3G
- SZ1SMB5928BT3G
- SZ1SMB5930BT3G
- SZ1SMB5931BT3G-VF01
- SZ1SMB5932BT3G
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