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SI4532DY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.9A 3.5A
- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4532DY
- 商品编号
- C889875
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A；3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- N沟道3.9A、30V。VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.065Ω
- VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 0.095Ω
- P沟道 -3.5A、-30V。VGS = -10V时,RDS(ON) = 0.085Ω
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 0.190Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装的双(N和P沟道)MOSFET
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路