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IRLR3410TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，连续电流高达15A，适用于各类电源转换、负载开关控制以及低至中等功率电子设备的高效能电路设计。
- 商品型号
- IRLR3410TRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543015
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。
- BVDSS = 650 V，ID = 5A
- RDS(导通)：2.50 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 经过100%雪崩测试
- TO - 251封装
- 符合RoHS标准