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IRF9388TRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有30V的额定电压和12A的连续电流处理能力，适用于各种低至中等功率的应用场景，如电源管理、负载切换及反向电流保护等。其小型化设计兼顾高效能与空间节省需求，是现代电子设备的理想选择。
- 商品型号
- IRF9388TRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543023
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 5.2nC（典型值）。
- BVDSS = 30V，ID = 5.0A
- RDS(on)：31mΩ（最大值）@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试