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IRLML6402TRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压为20V，最大连续电流4.2A，适用于低电压、小体积的电源开关、负载切换及反向电流保护等应用，尤其适合于高效能、空间受限的电路设计。
- 商品型号
- IRLML6402TRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543024
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
IRFR1205TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 30 A
- RDS(ON)< 26 mΩ@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源