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BSC070N10NS3G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装，具有优越的散热性能。其规格为100V漏源电压和75A连续电流，特别适合于空间紧凑、高效率要求的电源转换、负载开关及电池管理系统等应用场景，提供卓越的功率处理能力与可靠性。
- 商品型号
- BSC070N10NS3G-HXY
- 商品编号
- C7543026
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
商品概述
HSSX2204是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSSX2204符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 超低栅极电荷
- 高端开关
- 低阈值
- 静电放电（ESD）保护高达2KV
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