温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFB4115PBF-HXY
150V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220封装，专为高功率应用设计。具有150V的漏源耐压和高达120A的连续电流处理能力，适用于各类电源转换、电机驱动与大电流开关场合，提供卓越能效与可靠性。
- 商品型号
- IRFB4115PBF-HXY
- 商品编号
- C7543028
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.847236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
IRF9388TRPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源