IRFB4115PBF-HXY
1个N沟道 耐压:150V 电流:120A
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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220封装，专为高功率应用设计。具有150V的漏源耐压和高达120A的连续电流处理能力，适用于各类电源转换、电机驱动与大电流开关场合，提供卓越能效与可靠性。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRFB4115PBF-HXY商品编号
C7543028商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.847236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
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