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IRFR1205TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流，适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。凭借卓越的性能与稳定性，为电路设计提供强大动力支持。
- 商品型号
- IRFR1205TRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543025
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5802克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
IRFR5305TRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -30 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 33 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 46 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理