IRFR1205TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流，适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。凭借卓越的性能与稳定性，为电路设计提供强大动力支持。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRFR1205TRPBF-HXY商品编号
C7543025商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.5802克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
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