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BSC066N06NS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。
- 商品型号
- BSC066N06NS-HXY
- 商品编号
- C7543018
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF@30V | |
| 配置 | - |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON) = 600mΩ（VGS = 10V时）
- 超低栅极电荷，典型Qg = 18.4nC
- 快速开关能力
- 稳健设计，具有更好的EAS性能
- 改善EMI设计（SnowMOS第二代）
- 漏源极电压VDSS = 650V，漏极电流ID = 7.3A
- 100%雪崩测试
应用领域
- 电视电源-高性能充电器/适配器-LED照明电源