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IRFR5305TRLPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR5305TRLPBF-HXY

P沟道 60V 30A

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描述
此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,连续电流高达30A,专为中高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及反向电流保护等领域,以高效能与稳定性能,满足现代电子产品对功率管理的严苛要求。
商品型号
IRFR5305TRLPBF-HXY
商品编号
C7543019
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.5796克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)4.026nF
反向传输电容(Crss)98pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)134pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.8

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    起订量:1 个2500个/圆盘

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