SI4435DYTRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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描述
本款消费级P沟道MOSFET封装于SOP-8，特别适用于空间有限的电路设计。额定电压30V，可承载最大连续电流11A，是电源转换、负载切换以及防止反向电流的理想选择，助力电子产品实现高效能、低损耗的功率管理。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI4435DYTRPBF-HXY商品编号
C7543021商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.3637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
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