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SI4435DYTRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET封装于SOP-8，特别适用于空间有限的电路设计。额定电压30V，可承载最大连续电流11A，是电源转换、负载切换以及防止反向电流的理想选择，助力电子产品实现高效能、低损耗的功率管理。
- 商品型号
- SI4435DYTRPBF-HXY
- 商品编号
- C7543021
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |