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BSC098N10NS5-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备卓越的散热性能。额定电压100V，连续电流高达80A，特别适用于空间受限且需高效能电源转换、大电流负载控制及电池管理系统等应用场合，提供强大的功率处理能力和高可靠性。
- 商品型号
- BSC098N10NS5-HXY
- 商品编号
- C7543020
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
IPD068P03L3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -80A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源