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BSC067N06LS3G-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，拥有出色的散热性能与紧凑尺寸。额定电压为60V，连续电流高达80A，特别适合于高效电源转换、大电流负载开关控制及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性。
- 商品型号
- BSC067N06LS3G-HXY
- 商品编号
- C7543016
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF@30V | |
| 配置 | - |