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IPD068P03L3G-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V额定电压和高达80A的连续电流承载能力。适用于中高功率的电源转换、电机驱动及反向电流保护等应用场景，凭借卓越性能与稳定性，为电路设计提供强大而高效的开关控制解决方案。
- 商品型号
- IPD068P03L3G-HXY
- 商品编号
- C7543017
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF@15V | |
| 配置 | - |
商品概述
BSC066N06NS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 80 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 7 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源