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VBI2202K
1个P沟道 耐压:200V 电流:1.8A
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- 描述
- SOT89；P—Channel沟道,-200V；-2.5A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBI2202K
- 商品编号
- C7541175
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
YJA3139KA-ES 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 YJA3139KA-ES 为无铅产品。
商品特性
- -20V，RDS(ON) = 580 mΩ（典型值），VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 855 mΩ（典型值），VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 1350 mΩ（典型值），VGS = -1.8 V
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换