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商品参数
参数完善中
商品概述
AGM6080D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷 Qg
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻 Rg 测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合 RoHS 标准
- 通过 AEC-Q101 汽车应用认证
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器