SIHA6N80E-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:5.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHA6N80E-GE3
- 商品编号
- C7011032
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 940mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 827pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
碳化硅（SiC）功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC180SMA120S器件是一款采用TO - 268（D3PAK）封装的1200 V、180 mΩ SiC MOSFET。
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)
相似推荐
其他推荐
- SIHB12N60ET1-GE3
- SIHB4N80E-GE3
- SIHD1K4N60E-GE3
- SIHFBC40AS-GE3
- SIHP180N60E-GE3
- SIHP22N65E-GE3
- SIHP4N80E-GE3
- SIHU4N80E-GE3
- SIHW21N80AE-GE3
- SIJH5800E-T1-GE3
- SIR4608DP-T1-GE3
- SIR5708DP-T1-RE3
- SIR818DP-T1-GE3
- SIR826DP-T1-RE3
- SIS106DN-T1-GE3
- SISHA12ADN-T1-GE3
- SISS26LDN-T1-GE3
- SISS5708DN-T1-GE3
- SIUD401ED-T1-GE3
- SI7114DN-T1-GE3
- SI7386DP-T1-GE3