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CMD4010
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 4010是N沟道MOS场效应晶体管。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD4010
- 商品编号
- C6939689
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 当栅源电压（VGS）为10 V时，最大导通电阻（rDS(on)）为16 mΩ
- 当栅源电压（VGS）为4.5 V时，最大导通电阻（rDS(on)）为21 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源