温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMB100P03B
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMB100P03B是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB100P03B
- 商品编号
- C6939656
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMB100P03B是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 较低的导通电阻
- 100%保证抗雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
-直流-直流转换器-电机控制-LED控制器