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CMB100P03B
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- CMB100P03B是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB100P03B
- 商品编号
- C6939656
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）支持。
商品特性
- 快速开关
- 较低的导通电阻
- 100%保证抗雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
-直流-直流转换器-电机控制-LED控制器