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CMB110P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- CMB110P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，适用于各种其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB110P06
- 商品编号
- C6939657
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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