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CMD010N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 描述
- 010N06采用先进的CMOS MOSFET技术，可实现低导通电阻、快速开关性能和卓越品质。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD010N06
- 商品编号
- C6939664
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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