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CMD2922
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 描述
- 2922采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD2922
- 商品编号
- C6939682
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3735克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：同步整流器、背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- 低导通电阻
- 采用钝化工艺,可靠性高
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源开关应用