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CMD3090M
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 3090M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。3090M符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量测试（EAS），并通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3090M
- 商品编号
- C6939684
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
50N06B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信和工业电源以及LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关