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CMD12N15B
1个N沟道 耐压:150V 电流:12A
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- 描述
- MOSFET采用先进的处理技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。这一优势，结合快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD12N15B
- 商品编号
- C6939672
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
1402B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
~~- 驱动要求简单-超低RDS(ON)-提供环保型器件
应用领域
- 服务器DC/DC转换器-电机驱动器