温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD016N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 016N10采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD016N10
- 商品编号
- C6939665
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
商品特性
- 低导通电阻
- 工作温度达175°C
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-电源开关应用